Германиевый лазер может повысить быстродействие будущих процессоров

Сплав германия с оловом (GeSn) это полупроводник, с которым связывают большие надежды на интеграцию оптики в компьютерные чипы — в отличие от стандартного для них кремния GeSn может эффективно излучать свет.

В последние несколько лет многие разработчики будущих оптоэлектронных суперчипов экспериментируют с выращиванием этого полупроводника на кремниевых подложках. Такое усовершенствование может упростить создание полностью интегрированных компонентов кремниевой фотоники, включающих электронные схемы и лазеры и, благодаря этому, обеспечивающих улучшение быстродействия микропроцессоров с минимальными затратами.

Новейшим достижением в этой области поделились в статье для Applied Physics Letters участники межинститутского проекта, реализуемого на базе Арканзасского университета при поддержке ведущего производителя оборудования для полупроводниковой индустрии, ASM America.

Они продемонстрировали лазер GeSn торцевого излучения с оптической накачкой. Порог лазера и длина волны излучения были измерены при 10 K и составляют 68 кВт/см2 и 2476 нм, соответственно.

Экспериментальное устройство было целиком выращено в стандартном промышленном реакторе химическим осаждением из газовой фазы с использованием дешевых исходных компонентов (SnCl4 и GeH4) и разработанного в ASM одноэтапного эпитаксиального процесса.

Запись в группу: https://iteducenter.ua/apply

Наши контакты:

Тел.: [відкрити контакти](044) 537-86-76, [відкрити контакти](093) 47-5555-0, [відкрити контакти](096) 99-99-560

Вебсайт: www.iteducenter.ua

Vkontakte: https://vk.com/iteducenter

Facebook: https://www.facebook.com/iteducenterua